DRAM大廠南亞科（2408）今日舉行股東常會，董事長吳嘉昭在報告營運時表示，南亞科去年受大環境不佳、地緣政治和中美貿易衝突影響，由盈轉虧，但公司仍持續厚實技術實力，今年將會有更多產品導入10奈米1B製程，同時10奈米1C製程將在今年底完成第一顆產品設計、明年初試產，並於115年視產銷導入新廠，並藉結合微縮版與矽鑽孔（TSV）製程，切入高容量DRAM模組，以供應伺服器市場需求。
吳嘉昭強調，1B製程產品是南亞科今年拓展重點，除8Gb/4Gb DDR4推廣至個人電腦及良祼晶應用市場外，16Gb DDR5 則優先在個人電腦 和伺服器應用等主流市場建立實績。
他強調，南亞科在產業調整期仍持續投入研發，厚實未來競爭力。目前南亞科10奈米除了10奈米第二代（1B）製程開發 3顆產正在試產，另外也開發4顆產品，包括16 Gb DDR5 和微縮版、16Gb LP DDR4 、16 Gb bcr娛樂城 LPDDR5和4Gb DDR3 也將逐步導入試產。
他接著說，今年將同步開發矽鑽孔製程技術，未來結合DDR5微縮 隆亨娛樂城 版與TSV製程做成高容量DRAM模組，以供應伺服器市場。
此外，10奈米第三代（1C）製程技術，第一顆16Gb DDR5產品已預定年底完成設計，明年初試產。
為因應產能轉進1B及 17娛樂城 新廠興建，南亞科今年資本支出約260億元 ，其中生產類設備預算將低於五成。
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